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 　 美國和法國科學(xué)家最近研究出一種制造銅氧化物超導(dǎo)體的新技術(shù)，它將有助于研究銅氧化物的超導(dǎo)機制。
 　 銅氧化物的超導(dǎo)性能是1986年被首次發(fā)現(xiàn)，在高溫超導(dǎo)研究中備受關(guān)注，但現(xiàn)有超導(dǎo)理論還不能很好地解釋其超導(dǎo)機制。常規(guī)制備銅氧化物超導(dǎo)體的方法是往銅氧化物中摻入雜質(zhì)元素，以改變內(nèi)部的電子濃度。
 　 在最新出版的英國《自然》雜志上，美國貝爾實驗室和法國巴黎第十二大學(xué)的研究人員報告了他們合作研究出的新方法：在銅氧化物單層晶體薄膜上制造一種稱為場效應(yīng)晶體管的電子元件，通過施加電壓，就可以往銅氧化物層中摻入電子或空穴，從而使它具有超導(dǎo)能力。研究人員制備出的摻電子的銅氧化物最高臨界溫度為絕對溫度89度，摻空穴的材料最高為絕對溫度34度。